Электронно-лучевые испарители

Электронно-лучевой источник -  EPOS-BEAM-1

          Однотигельный электронно-лучевой источник «EPOS-BEAM-1» предназначен для проведения технологических процессов электронно-лучевого нанесения диэлектрических, полупроводниковых и металлических однослойных и многослойных покрытий на различные подложки. Использование электронного луча позволяет работать с прекурсорами, имеющими высокую температуру плавления.

          Технология осаждения из паровой фазы с электронно-лучевым нагревом является надежным способом получения пленок толщиной от одного нанометра до десяти микрон и обеспечивает высокую скорость осаждения при относительно низких температурах подложки. Данный метод отличается очень высокой эффективностью использования материала, высокой чистотой и воспроизводимостью свойств плёнки.

Описание

          Источник состоит из системы генерации электронного луча с энергией до 8 кэВ и током эмиссии до 1 А.

          Особенностью источника является поворот электронного луча на 270° с помощью электромагнитной системы, что позволяет скрыть нить накала и продлить ее срок службы. Кроме того, в источнике реализована электромагнитная система сканирования электронного луча по всей поверхности ячейки и блок ее питания и управления, что дает возможность использовать всю навеску прекурсора равномерно.

          При изготовлении источника применяются современные материалы, снижающие эффекты дегазации, повышающие температурную стойкость и равномерность распределения температур.

Технические характеристики

Скачать полное описание

Электронно-лучевой источник - EPOS-BEAM-6

          Шеститигельный лектронно-лучевой источник «EPOS-BEAM-6» предназначен для проведения технологических процессов электронно-лучевого нанесения диэлектрических, полупроводниковых и металлических однослойных и многослойных покрытий на различные подложки. Использование электронного луча позволяет работать с прекурсорами, имеющими высокую температуру плавления. Наличие тигля с шестью ячейками для размещения прекурсоров позволяет проводить работы с несколькими материалами в одном технологическом цикле.

          Технология осаждения из паровой фазы с электронно-лучевым нагревом является надежным способом получения пленок толщиной от одного нанометра до десятков микрон и обеспечивает высокую скорость осаждения при относительно низких температурах подложки. Данный метод отличается очень высокой эффективностью использования материала, высокой чистотой и воспроизводимостью свойств плёнки.

          ООО «ЭПОС-Инжиниринг» предлагает электронно-лучевые испарители EPOS-BEAM, предназначенные для промышленного получения тонких пленок металлов, полупроводников и диэлектриков на твердых подложках. Рекомендуемая система характеризуется простотой в управлении и высоким качеством напыления.

Описание

          Источник состоит из системы генерации электронного луча с энергией до 8 кэВ и током эмиссии до 1 А, а также оснастки карусельного типа на шесть ячеек для размещения прекурсоров, позволяющей проводить работы с несколькими материалами в одном технологическом цикле.

          Наличие крышки-заслонки, закрывающей неиспользуемые ячейки с прекурсорами во время работы электронно-лучевого источника, исключает эффекты перераспыления, ведущего к перемешиванию и загрязнению материалов.

          Особенностью данного источника является поворот электронного луча на 270° с помощью электромагнитной системы, что позволяет скрыть нить накала и продлить ее срок службы. Кроме того, в источнике реализована электромагнитная система сканирования электронного луча по всей поверхности ячейки и блок ее питания и управления, что дает возможность использовать всю навеску прекурсора равномерно.

          При изготовлении источника применяются современные материалы, снижающие эффекты дегазации, повышающие температурную стойкость и равномерность распределения температур.

Технические характеристики

Скачать полное описание