Установка для исследования вторичной электронной эмиссии

Назначение

          Явление испускания твёрдыми телами вторичных электронов при бомбардировке их пучком первичных электронов лежит в основе многих современных методов анализа поверхности. Энергетические спектры и угловые распределения вторичных электронов содержат достаточно полную информацию об основных микроскопических характеристиках поверхности – составе, структуре, электронном строении.

          Явление вторичной электронной эмиссии лежит в основе принципа работы ряда электронных приборов, например, в фотоэлектронных умножителях, в электроннолучевых трубках с записью изображения в виде потенциального рельефа, в оже-спектрометрах.

Комплектация

Установка для исследования вторичной электронной эмиссии включает в себя следующие компоненты:

• Вакуумную камеру из нержавеющей стали (Ø×Д 280×300 мм) с подставкой;
• Системы форвакуумной и высоковакуумной откачки на основе турбомолекулярного и магниторазрядного насоса (предельный вакуум - 5∙10^-8 торр);
• Термокатодной электронной пушки с блоками питания (максимальная энергия –  3 кэВ, ток пучка – до 6 мА);
• Коллектора электронов;
• Антидинатронной сетки;
• Нагреваемой мишени (до 600°С);
• Системы измерения тока мишени и коллектора;
• Высоковольтного источника питания для изменения запирающего потенциала.

Управление установкой производится в ручном режиме при помощи блока управления установкой.

Технические характеристики

Скачать полное описание