Назначение
Установка EPOS‐PVD‐E-Mag-550 – это высокопроизводительная вакуумная установка напыления тонких пленок, предназначенная для воспроизводимого получения качественных нанометровых и микронных твердых пленок из металлов, оксидов и диэлектриков, термобарьерных, композитных и оптических покрытий.
Универсальность установки EPOS‐PVD‐E-Mag-550 определяется широким выбором способов напыления: низкотемпературного (LTE), термического, электронно-лучевого и магнетронного. Благодаря этому установка широко используется в промышленности и научно-исследовательской деятельности для создания 2D структур и функционализированных покрытий в микро- и наноэлектронике, оптике, фотонике.
Описание
Установка разработана специально для отработки технологий нанесения покрытий, проведения научных исследований и небольшого производства. Простота использования сочетается с высоким качеством получаемых покрытий за счёт автоматизации управления вакуумной системой и широким диапазоном регулировок процесса напыления.
Установка предусматривает возможность нанесения различных типов металлов (Au, Ti, Mo, Cr, Ni, Al, Cu и т.д.) и диэлектриков на твёрдые образцы (кремний, керамика, стекло, металлы). Многофункциональная PVD установка EPOS‐PVD‐E-Mag имеет вакуумную камеру, оснащенную шестью фланцами ISO100 для установки различных технологических источников напыления и других типов (CF100, KF40, 25, 16, «bolt») для вспомогательного оборудования.
Возможна установка термического испарителя-лодочки, низкотемпературного испарителя (LTE), DC и RF магнетронов, ионного источника очистки и ассистирования, электронно-лучевого испарителя. Установка оснащена вращающимся подложкодержателем на несколько образцов диаметром до 150 мм с системой нагрева и заслонкой.
Особенности и опциональные возможности
- • Вращаемый карусельный подложкодержатель (двойное вращение) с позиционированием по оптическому датчику положения.
- • Возможность изменения расстояния между подложкодержателем и источниками позволяет достигать требуемой равномерности напыления и состава пленок при заданных толщинах;
- • Обеспечение позиционирования подложек напротив источника с помощью шагового двигателя;
- • Индивидуальный нагрев подложек автоматически стабилизируется и рост температуры может быть запрограммирован до 650°С;
- • Возможность оснащения кварцевым датчиком измерения толщины пленок и термопарой с точностью до 1°С.
- • Прецизионная система газоподачи через кольцо в область напыления позволяет получать пленки высокой чистоты из оксидов металлов.
-
Преимущество
Возможность полной автоматизации: контроль вакуума, подачи газов, температуры подложки, предварительной очистки поверхности и ассистирования в процессе нанесения покрытия. Контроль толщины наносимого покрытия с помощью автотоматизированных заслонок у всех источников (до 5 штук) с закрытием по таймеру экспозиции или датчику толщины. Широкий выбор технологических устройств и опции позволяют сконфигурировать систему непосредственно для Ваших нужд, а также возможность модернизации для дополнения и расширения производственных возможностей в будущем.
Различные варианты исполнения и конфигурации
ПАРАМЕТР | ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ |
Входное напряжение, ф/В/Гц | 3/380/50 |
Максимальная потребляемая мощность, кВт | 25 (с электронно-лучевым испарителем, ионным источником и нагревом подложек). |
Вакуумная камера | - Материал: нержавеющая сталь;
- Водяное охлаждение камеры;
- Форма камеры: D-образная;
- Размеры: длина – 550 мм; ширина – 550 мм; высота – 700 мм;
- Прозрачное смотровое окно диаметром 100 мм с защитным стеклом;
- Большая дверца с регулировкой прижатия;
- Подставка для камеры со съемными защитно-декоративными панелями;
- Наличие 6 фланцев ISO 100, фланцы «болт», KF40 и др;
- Автоматические заслонки источников.
|
Примеры конфигураций и сочетания способов нанесения покрытий: |
- Испаритель-лодочка – 2 шт.
- Электронно-лучевой испаритель с 6 тиглями
- Ионный источник ЭНД-Холл
- Низкотемпературный испаритель – 2 шт.
- Возможность дооснащения магнетронами – до 3 шт.
- Карусель с двойным вращением и позиционированием подложек до 50 мм.
- Нагрев подложек до 500 °С
|
- Магнетрон DC – 2 шт.
- Магнетрон RF – 1 шт.
- Электронно-лучевой испаритель с 6 тиглями
- Испаритель-лодочка – 2 шт.
- Ионный источник ЭНД-Холл
- Одиночное вращение и позиционирование подложек до 100 мм
- Нагрев подложек до 800 °С
|
- Магнетрон DC с регулируемым наклоном– 2 шт.
- Магнетрон RF с регулируемым наклоном – 1 шт.
- Электронно-лучевой испаритель с 6 тиглями
- Испаритель-лодочка – 2 шт.
- Ионный источник ЭНД-Холл
- Одиночное вращение и позиционирование одной подложки 150 мм для конфокального напыления или несколько - 100 мм.
- Нагрев подложек до 450 °С
|
Магнетроны | - Магнетрон DC-RF с мишенью 3” (76,2 мм);
- Охлаждение: водяное – от 2 л/мин;
- Пневматическая заслонка;
- Регулируемая высота до 120 мм.
Опционально:
- Газовое кольцо для подачи газа непосредственно в область разряда
|
Источник питания магнетронов | - 2-канальный DC источник питания 1500 Вт – 1 шт.
Опционально:
- 3х-канальный DC источник питания 3000 Вт.
- ВЧ источник питания 13,56 МГц с автоматическим согласующим устройством.
|
Ионный источник | - Щелевой ионный источник с анодным слоем с «жестким пучком» или типа «End-Hall» с мягкой очисткой и ассистированием;
- Блок питания ионного источника.
|
Электронно-лучевой испаритель (ЭЛИ) с источником питания | - 1, 4, 6 тигельный ЭЛИ различной конфигурации и производительности
- Катодный узел легкосъемный с поворотом луча на 270°.
- Корпус водоохлаждаемый, материал медь.
- Наличие настраиваемой фокусировки луча.
- Гибкие высоковольтные вакуумные вводы для накала.
- система электромагнитного отклонения луча.
|
Система термического напыления | - резистивный испаритель -лодочка на охлаждаемых электрических вводах с программируемой стабилизацией тока в лодочке.
- низкотемпературный испаритель органических соединений (LTE)
с возможность контроля температуры с точностью до 0,1°С. |
Подложкодержатель | - Вращаемый карусельный подложкодержатель диаметром до 450 мм с одиночным или двойным (опция) вращением.
- Позиционирование по оптическому датчику положения.
- Область поддерживаемой однородности – по запросу.
- Подъем столика регулируемый до 120 мм.
- Регулировка скорости вращения в диапазоне от 1 до 20 об/мин.
- Нагрев 0 ÷ 350 °С. Контролируется ПИД-регулятором с обратной связью по термопаре
- Согласованный термопарный ввод К типа.
Опционально:
- Двойное вращение подложкодержателей;
- Нагрев образцов до 650 °С, 800 °С.
|
Контроль толщины покрытий | - Прецизионный датчик толщины покрытий с разрешением до 0,1 Å;
- Отображение толщины покрытия на кристалле и скорости напыления.
- Ручная заслонка
Опционально:
|
Регулятор расхода газа и газовая магистраль | - 3 канала подачи чистых газов (аргон, кислород, азот и др.) содержат электронные регуляторы расхода газа и отсечные клапаны.
|
Вакуумная система | - Макс. уровень вакуума: 1*10-4Па.
- Высокоэффективный турбомолекулярный насос;
- Безмасляный спиральный или опционально пластинчато-роторный форвакуумный насос;
- высоковакуумные клапаны обеспечивают байпасную откачку и отсечение турбомолекулярного насоса;
- широкодиапазонный вакуумметр, форвакуумный вакуумметр Пирани.
|
ОПЦИЯ: Внешний блок охлаждения | - Промышленная установка охлаждения жидкости (чиллер).
- Либо замкнутый контур охлаждения вода-вода.
|
