Химическое осаждение из газовой фазы (ХОГФ, или англ. Chemical vapor deposition, CVD) – метод получения тонких пленок, осуществляется при помощи, как правило, высокотемпературных реакций разложения и взаимодействия газообразных прекурсоров на подложке, образующих покрытие.
При осаждении покрытий CVD методами подложка помещается в реактор, в который подаются пары одного или нескольких веществ, вступающих в реакцию или разлагающихся на поверхности нагретой подложки или вблизи нее, осаждаясь в виде тонкой пленки.
Наша компания имеет опыт разработки и производства установок для химического осаждения из газовой фазы с различными способами активации.
