clock
Заказать звонок Мы вам перезвоним

Источник протонов

Назначение

 

          Ионные пучки широко применяются в космических технологиях (облучение поверхности космических аппаратов и др.), модификации поверхностей (ионная имплантация, ионное травление, формирование топографии), напылении пленок (ионное ассистирование), проведении исследований физических и химических свойств материалов, структурированных в наноразмерных масштабах, и многих других.

 

          Нашей компанией разработана установка «EPOS-IGUN-50» для получения пучка протонов с энергией до 50 кэВ и плотностью тока на образце до 1016 см-2.

Подробное описание оборудования

Скачать полное описание Скачать полное описание

Описание

 

Установка «EPOS-IGUN-50» состоит из следующих узлов:

  • Ионного источника, включающего в себя блок генерации СВЧ энергии на основе магнетрона мощностью 1 кВт, блок подачи плазмообразуюшего газа (водорода) и блок формирования пучка;
  • Системы безмасляной вакуумной откачки;
  • Тракта ионного пучка.

          Для визуального наблюдения пучка ионов в тракте пучка установлено смотровое окно из боросиликатного стекла.

 

Технические характеристики

 

Энергия пучка протонов, кэВ

3—50

Ток пучка протонов, нА

2,5—100

Плотность тока на образце, см-2

1012—1016

Угол расхождения пучка протонов, град.

регулируемый, 2—10

Неравномерность потока протонов при диаметре облучаемой поверхности 140 мм, %

не более 10

Максимальное давление в рабочей камере, торр

10-5

Плазмообразующий газ

водород

 

Скачать полное описание