Ионные пучки широко применяются в космических технологиях (облучение поверхности космических аппаратов и др.), модификации поверхностей (ионная имплантация, ионное травление, формирование топографии), напылении пленок (ионное ассистирование), проведении исследований физических и химических свойств материалов, структурированных в наноразмерных масштабах, и многих других.
Нашей компанией разработана установка «EPOS-IGUN-50» для получения пучка протонов с энергией до 50 кэВ и плотностью тока на образце до 1016 см-2.
Скачать полное описание
Установка «EPOS-IGUN-50» состоит из следующих узлов:
Для визуального наблюдения пучка ионов в тракте пучка установлено смотровое окно из боросиликатного стекла.
Технические характеристики
Энергия пучка протонов, кэВ | 3—50 |
Ток пучка протонов, нА | 2,5—100 |
Плотность тока на образце, см-2 | 1012—1016 |
Угол расхождения пучка протонов, град. | регулируемый, 2—10 |
Неравномерность потока протонов при диаметре облучаемой поверхности 140 мм, % | не более 10 |
Максимальное давление в рабочей камере, торр | 10-5 |
Плазмообразующий газ | водород |
