Источник протонов

Область применения

Сегодня трудно представить наш мир без ионных пучков. Многие из фундаментальных открытий, направленных на развитие представлений о строении материи, были сделаны с их помощью.

Ионные пучки широко применяются в космических технологиях (облучение поверхности планет и космических аппаратов), модификации поверхностей (ионная имплантация, ионное травление, формирование топографии), напылении пленок (ионное ассистирование), проведении исследований физических и химических свойств материалов, структурированных в наноразмерных масштабах, и многих других.

Для получения пучка протонов с энергией до 50 кэВ и плотностью тока на образце до 1016 1/см2 нашей компанией разработана установка «VSE_IGUN_50».

Установка «VSE_IGUN_50» состоит из:

Ионного источника, включающего в себя блок генерации СВЧ энергии на основе магнетрона 2M261-M32 jp мощностью 1 кВт, блок подачи плазмообразуюшего газа (водорода) и блок формирования пучка;
Системы безмасляной вакуумной откачки;
Тракта ионного пучка.
Для визуального наблюдения пучка ионов в тракте пучка установлено смотровое окно из боросиликатного стекла.

Основные технические характеристики:

Энергия пучка протонов от 3 до 50 кэВ;
Ток пучка протонов от 2,5 нА до 0,1 мА, плотность тока на образце от 1012 до 1016 1/см2;
Угол расхождения пучка протонов регулируется в диапазоне от 2 до 10 градусов;
Неравномерность потока протонов (при диаметре облучаемой поверхности 140 мм) не более 10%;
Максимальное давление в рабочей камере 10-5 торр;
Плазмообразующий газ – водород.