Установка MOCVD. Осаждение металлорганических соединений из газовой фазы.

Назначение

Установка MOCVD предназначена для разработки методик нанесения биологически совместимых наноструктурированных металлических (Ir, Pt) и композиционных (Ir-IrO2, PtxIry) покрытий методом MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) с заданными электрофизическими свойствами на различные материалы, применяемые при создании изделий и устройств медицинского назначения (например, электрохирургических и эндокардиальных электродов). Установка позволяет наносить покрытия из благородных металлов на объемные изделия. 

Metal-Organic Chemical Vapor Deposition – Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы.

Установка состоит из:

  • реактора, включающего в себя систему нагрева (до 650 0С) и вращения образцов;
  • 2-х канальной системы подачи паров прекурсоров, с температурой парообразования до 250 0С;
  • прогреваемой до 250 0С линии подачи прекурсоров;
  • вакуумной системы, включающей в себя пластинчато-роторный форвакуумный насос, систему электромагнитных клапанов, высокоточный вакуумметр мембранного типа;
  • 4-х канальной газораспределительной системы, имеющей два канала для подачи газа-носителя и два канала для подачи дополнительных технологических газов;
  • системы автоматизации, включающей в себя блоки терморегуляторов и контрольно-измерительного оборудования (управление нагревателями, откачкой, газовой системой, вращением подложкодержателя и т.д.).
Установка для осаждение металлорганических соединений
Установка для осаждение металлорганических соединений