Установка плазмохимического осаждения слоев из газовой фазы - EPOS-PECVD-100

Описание

          Установка EPOS-PECVD-100 предназначена для нанесения тонких пленок материалов различных структур: монокристаллы, поликристаллы, аморфные тела и эпитаксиальные слои методом плазмохимического осаждения.

          Технология плазмохимического осаждения (Plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD) использует плазму для разложения реакционного газа на активные радикалы. Применение различных приемов возбуждения плазмы в реакционном объёме и управление её параметрами позволяет интенсифицировать процессы роста покрытий, проводить осаждение аморфных и поликристаллических пленок при значительно более низких температурах подложки, делает более управляемыми процессы формирования заданного микрорельефа, структуры, примесного состава и других характеристик покрытия по сравнению с аналогичными процессами при химическом осаждении из газовой фазы (CVD), основанными на термическом разложении реакционного газа.

          Разработанная нашей компанией установка EPOS-PECVD-100 предназначена, в частности, для разработки методик нанесения пленок карбонитрида кремния SiC_xN_y на полупроводниковые пластины Si и GaAs методом плазмохимического осаждения из газовой фазы.

Интерфейс управления установкой
 

Скачать полное описание

Установка EPOS-PECVD-100 состоит из:

•  - Вакуумной камеры из нержавеющей стали с электрохимической полировкой всех поверхностей диаметром 320 мм и высотой 360 мм;
• - Подложкодержателя, системы нагрева подложки и магистралей подвода парообразных прекурсоров;
• - Двухканальной системы подачи жидких прекурсоров;
• - ВЧ системы генерации плазмы;
• - Экрана для защиты стенок камеры от запыления;
• - Набора термопар для контроля температуры в различный точках установки;
• - Системы автоматизации процесса, включая систему блокировок и кросс-бокс с гальваническими развязками;
• - Оригинального программного обеспечения.
•  

Для проведения визуального наблюдения за процессом осаждения установка оснащена смотровым окном из боросиликатного стекла.

Основные технические характеристики:

•  Предельный вакуум – 5∙10-2 торр;
•  Максимальная температура парообразования прекурсоров до 150 0С;
•  Активация парообразных прекурсоров в ВЧ плазме (13,56 МГц), мощность плазмы до 300 Вт;
•  Максимальный размер подложки 100 мм;
•  Нагрев подложки до 600 0С, точность поддержания температуры ±1 0С;
•  Водяное охлаждение узлов установки;
• Управление установкой в ручном и полуавтоматическом режимах.