Установка плазмохимического осаждения слоев из газовой фазы
Технология плазмохимического осаждения (PE CVD) использует плазму для разложения реакционного газа на активные радикалы. Применение различных приемов возбуждения плазмы в реакционном объёме и управление её параметрами позволяет интенсифицировать процессы роста покрытий, проводить осаждение аморфных и поликристаллических пленок при значительно более низких температурах подложки, делает более управляемыми процессы формирования заданного микрорельефа, структуры, примесного состава и других характеристик покрытия по сравнению с аналогичными процессами при химическом осаждении из газовой фазы (CVD), основанными на термическом разложении реакционного газа.
Данным методом производят материалы различных структур: монокристаллы, поликристаллы, аморфные тела и эпитаксиальные слои.
Назначение
Разработанная нашей компанией установка «VSE_PECVD_100» предназначена, в частности, для разработки методик нанесения пленок карбонитрида кремния SiCxNy на полупроводниковые пластины Si(100) и GaAs(100) методом плазмохимического осаждения из газовой фазы.
Установка «VSE_PECVD_100» состоит из:
Для проведения визуального наблюдения за процессом осаждения установка оснащена смотровым окном из боросиликатного стекла.
Основные технические характеристики:
Управление установкой в ручном и полуавтоматическом режимах.